Helmholtz-Zentrum Berlin für Materialien und Energie
CIS-Module mit ILGAR verbessert

Sie stellen die unterschiedlichen Halbleiterschichten mit dem ILGAR-Verfahren (Ion Layer Gas Reaction) her, das am HZB entwickelt wurde. Die dabei produzierten Pufferschichten bestehen aus Indiumsulfidoder Zinksulfid/Indiumsulfid und ersetzen in Dünnschichtsolarzellen das Schwermetall Cadmium. Außerdem wird ein umweltschädliches Abscheideverfahren überflüssig. Für ihre zertifizierten Rekordzellen haben die HZB-Wissenschaftler lichtabsorbierende Schichten aus der industriellen Standardproduktion genutzt. Damit konnten sie Solarzellen herstellen, die Wirkungsgrade von über 16,1 Prozent erreichen und damit deutlich über bisher erreichten Wirkungsgraden mit Indiumsulfid-Pufferschichten liegen.
HZB/Red.
